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PDTC115YE

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  • PDTC115YE
    PDTC115YE

    PDTC115YE

  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 9600

  • NXP

  • 原廠封裝

  • 17+

  • -
  • 原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應

  • 1/1頁 40條/頁 共1條 
  • 1
PDTC115YE PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
PDTC115YE 技術參數(shù)
  • PDTC115TU,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):100 kOhms 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 1mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 250μA,5mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323-3 基本零件編號:PDTC115 標準包裝:1 PDTC115TT,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):100 kOhms 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 1mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 250μA,5mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 基本零件編號:PDTC115 標準包裝:1 PDTC115TM,315 功能描述:TRANS NPN W/RES 50V SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):100 kOhms 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 1mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 250μA,5mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 供應商器件封裝:DFN1006-3 基本零件編號:PDTC115 標準包裝:1 PDTC115TK,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):100k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 1mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 250μA,5mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SMT3 標準包裝:1 PDTC115TE,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):100k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 1mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 250μA,5mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應商器件封裝:SC-75 標準包裝:1 PDTC123JE,115 PDTC123JK,115 PDTC123JM,315 PDTC123JMB,315 PDTC123JQAZ PDTC123JS,126 PDTC123JT,215 PDTC123JT,235 PDTC123JU,115 PDTC123JU/ZLX PDTC123TE,115 PDTC123TM,315 PDTC123TMB,315 PDTC123TT,215 PDTC123TT,235 PDTC123TU,115 PDTC123YE,115 PDTC123YK,115
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