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PDTD113ZK

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  • 型號
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  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • PDTD113ZK
    PDTD113ZK

    PDTD113ZK

  • 深圳市煌盛達科技有限公司
    深圳市煌盛達科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13823538694

    地址:平湖華南城華利嘉

    資質:營業執照

  • 12000

  • PHILIPS

  • 原廠原封裝

  • 20+

  • -
  • 原裝庫存,全新進口,可電13689551...

  • PDTD113ZK
    PDTD113ZK

    PDTD113ZK

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 8650000

  • NXP

  • SOT23

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號.原裝特價現貨!

  • PDTD113ZK
    PDTD113ZK

    PDTD113ZK

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 5000

  • PHILIPS

  • 09+

  • -
  • 百分百原裝正品,質量保障價格及優

  • 1/1頁 40條/頁 共12條 
  • 1
PDTD113ZK PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • PHILIPS
  • 制造商全稱
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • Low VCEsat (BISS) transistors
PDTD113ZK 技術參數
  • PDTD113ET,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):1 kOhms 電阻器 - 發射極基底(R2):1 kOhms 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):33 @ 50mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):500nA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 標準包裝:1 PDTC144WT,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):47 kOhms 電阻器 - 發射極基底(R2):22 kOhms 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,5mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 標準包裝:1 PDTC144WM,315 功能描述:TRANS NPN W/RES SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Digi-Key 停止供應 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):47 kOhms 電阻器 - 發射極基底(R2):22 kOhms 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 供應商器件封裝:DFN1006-3 基本零件編號:PDTC144 標準包裝:1 PDTC144WE,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):47k 電阻器 - 發射極基底(R2)(歐姆):22k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應商器件封裝:SC-75 標準包裝:1 PDTC144TM,315 功能描述:TRANS NPN W/RES 50V SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Digi-Key 停止供應 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):47 kOhms 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 1mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 供應商器件封裝:DFN1006-3 基本零件編號:PDTC144 標準包裝:1 PDTD114ETVL PDTD114EUF PDTD114EUX PDTD123EK,115 PDTD123EQAZ PDTD123ES,126 PDTD123ET,215 PDTD123EUF PDTD123EUX PDTD123TK,115 PDTD123TS,126 PDTD123TT,215 PDTD123YK,115 PDTD123YQAZ PDTD123YS,126 PDTD123YT,215 PDTD123YUF PDTD123YUX
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