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PDTD123YS

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說明
操作

PDTD123YS
深圳市湘達電子有限公司
深圳市湘達電子有限公司
聯系人：朱平
電話：0755-83229772-83202753
地址：辦公地址幫我改成深圳市福田區紅荔路上步工業區201棟東座4樓F02室
12486
NXPSEMICONDUCTORS
原廠
21+
-
百分百進口原裝現貨，價格有優勢。

PDTD123YS
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
31919
NXP/恩智浦
22+
-
終端免費提樣，可開票

PDTD123YS
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
NXPSEMICONDUCTORS
ORIGINAL
最新批號
-
代理此型號，原裝特價現貨！

PDTD123YS
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
PHILIPS
-
百分百原裝正品，質量保障價格及優

PDTD123YS
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
638850
NXP
TO-92
最新批次
-
OEM渠道，價格超越代理！

PDTD123YS,126
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
90000
NXP Semiconductors
TO-92-3
18+
-
Pre-Biased Bipolar T...

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制造商
PHILIPS
制造商全稱
NXP Semiconductors
功能描述
NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 10 kΩ

PDTD123YS 技術參數

PDTD123TT,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:2.2 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 50mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）標準包裝:1 PDTD123ET,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:2.2 kOhms 電阻器 - 發射極基底（R2）:2.2 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 50mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）基本零件編號:PDTD123 標準包裝:1 PDTD114ETR 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 0.425W 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:10 kOhms 電阻器 - 發射極基底（R2）:10 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 50mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 2.5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA 頻率 - 躍遷:225MHz 功率 - 最大值:320mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）標準包裝:1 PDTD113ZT,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:1 kOhms 電阻器 - 發射極基底（R2）:10 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 50mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）基本零件編號:PDTD113 標準包裝:1 PDTD113ET,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:1 kOhms 電阻器 - 發射極基底（R2）:1 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:33 @ 50mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）標準包裝:1 PDTD143XQAZ PDTD143XTR PDTD143XTVL PDTD143XUF PDTD143XUX PDTH110 PDU1015-VM PDU1215 PDU1220 PDU1220T PDU1230 PDU12IEC PDU1415 PDU1415-VM PDU1420T PDU1420-VM PDU15NET PDU1615-VM

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