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PEMH20,115

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

PEMH20,115
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
NEXPERIA/安世
SOT666
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

PEMH20,115
深圳市歐和寧電子有限公司
深圳市歐和寧電子有限公司
聯系人：李先生
電話：0755-292759351581559886118576729816
地址：廣東省深圳市福田區華強北賽格科技園6C18室
82490
NXP
SOT-563
新年份
-
一級代理全新原裝現貨特價！

PEMH20,115
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
90000
NXP Semiconductors
SOT-666
18+
-
Pre-Biased Bipolar T...

PEMH20,115
深圳市芯馳科技有限公司
深圳市芯馳科技有限公司
聯系人：丁皓鵬
電話：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331
資質：營業執照
10000
PHA
SOT666
15+
-
原裝正品，價格優勢！

PEMH20,115
科創特電子（香港）有限公司
科創特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907
12000
NEXPERIA
價格優勢
2432
-
全新原裝渠道現貨

1/1頁 40條/頁共13條
1

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PEMH20,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

PEMH20,115 PDF下載

功能描述
開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
配置
晶體管極性
NPN/PNP
典型輸入電阻器
典型電阻器比率
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
直流集電極/Base Gain hfe Min
200 mA
最大工作頻率
集電極—發射極最大電壓 VCEO
50 V
集電極連續電流
150 mA
峰值直流集電極電流
功率耗散
200 mW
最大工作溫度
封裝
Reel

PEMH20,115 技術參數

PEMH15,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:4.7 千歐電阻器 - 發射極基底（R2）:4.7 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應商器件封裝:SOT-666 標準包裝:1 PEMH13,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:4.7 千歐電阻器 - 發射極基底（R2）:47 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應商器件封裝:SOT-666 標準包裝:1 PEMH11,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:10 千歐電阻器 - 發射極基底（R2）:10 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應商器件封裝:SOT-666 標準包裝:1 PEMH10,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:2.2 千歐電阻器 - 發射極基底（R2）:47 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應商器件封裝:SOT-666 標準包裝:1 PEMF21,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:1 NPN 預偏壓式，1 PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA，500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V，12V 電阻器 - 基底（R1）:10 千歐電阻器 - 發射極基底（R2）:10 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V / 200 @ 10mA，2V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:280MHz 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應商器件封裝:SOT-666 基本零件編號:PEMF21 標準包裝:1 PEMI1QFN/CK,315 PEMI1QFN/CM,315 PEMI1QFN/CP,315 PEMI1QFN/CR,315 PEMI1QFN/CT,315 PEMI1QFN/HE,315 PEMI1QFN/HG,315 PEMI1QFN/HK,315 PEMI1QFN/HM,315 PEMI1QFN/HP,315 PEMI1QFN/HR,315 PEMI1QFN/HT,315 PEMI1QFN/LE,315 PEMI1QFN/LG,315 PEMI1QFN/LK,315 PEMI1QFN/LM,315 PEMI1QFN/LP,315 PEMI1QFN/LR,315