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PH6030AL,115

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

PH6030AL,115
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
91887
Nexperia USA Inc.
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

PH6030AL,115
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
90000
NXP Semiconductors
LFPAK，電源-SO8
18+
-
MOSFET N-CH 30V 79A ...

PH6030AL,115
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：史仙雁
電話：19129911934（手機優(yōu)先微信同號）0755-82813018
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
2300
NXP
ROHS
13+
-
全新原裝正品歡迎來電0755-8286...

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您是不是要找： PH6030L,115 PH6-041 PH6-071 PH6325L,115 PH6530AL,115 PH6625E PH6664G PH7030AL,115 PH7030ALS,115

PH6030AL,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

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功能描述
MOSFET 30V 75A N-CH MOSFETs
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

PH6030AL,115 技術(shù)參數(shù)

PH5330E,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.7 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2010pF @ 10V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK，電源-SO8 標準包裝:1 PH50S280-15 功能描述:Isolated Module DC DC Converter 1 Output 15V 3.4A 200V - 400V Input 制造商:tdk-lambda americas inc. 系列:PH-S 包裝:- 零件狀態(tài):在售類型:隔離模塊輸出數(shù):1 電壓 - 輸入（最小值）:200V 電壓 - 輸入（最大值）:400V 電壓 - 輸出 1:15V 電壓 - 輸出 2:- 電壓 - 輸出 3:- 電流 - 輸出（最大值）:3.4A 功率（W） - 制造系列:50W 電壓 - 隔離:3kV（3000V）應(yīng)用:ITE（商業(yè)）特性:遠程開/關(guān)，OCP，OTP，OVP 安裝類型:通孔封裝/外殼:模塊大小/尺寸:3.85" 長 x 2.83" 寬 x 0.50" 高（86.0mm x 72.0mm x 12.7mm）工作溫度:-20°C ~ 85°C 效率:- 功率（W） - 最大值:50W 標準包裝:1 PH4840S,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V 94.5A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):最後搶購 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:94.5A（Tc）不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:67nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3660pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.1 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 PH4530L,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.7 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:23.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1972pF @ 10V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK，電源-SO8 標準包裝:1 PH3N-76.2-25.4-0.07-1A 功能描述:Heat Sink Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...) Copper Heat Spreader 制造商:t-global technology 系列:PH3n 零件狀態(tài):有效類型:散熱片冷卻封裝:分類（BGA，LGA，CPU，ASIC……）接合方法:膠合劑形狀:矩形長度:3.000"（76.20mm）寬度:1.000"（25.40mm）直徑:- 離基底高度（鰭片高度）:0.003"（0.07mm）不同溫升時功率耗散:- 不同強制氣流時的熱阻:- 自然條件下熱阻:- 材料:銅材料鍍層:聚酯標準包裝:1 PH7030L,115 PH7-261 PH7261G PH7264H PH7323H PH7323L PH7324H PH7324K PH7513P PH7523P PH7523R PH75A28012 PH75A28015 PH75A28024 PH75A28028 PH75A2803.3 PH75A28048 PH75A2805