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PHB50N06T

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • PHB50N06T
    PHB50N06T

    PHB50N06T

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質:營業執照

  • 10340

  • PHILIPS

  • SOT220

  • 2024+

  • -
  • 不怕你不買只怕你不問

  • PHB50N06T
    PHB50N06T

    PHB50N06T

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 5000

  • PHILIPS

  • SOT404

  • 07+/08+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • PHB50N06T
    PHB50N06T

    PHB50N06T

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • D2PAK/TO-263

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • PHB50N06T
    PHB50N06T

    PHB50N06T

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • PHILIPS

  • TO-263

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • PHB50N06T
    PHB50N06T

    PHB50N06T

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:何芝

    電話:19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 2500

  • NXP

  • SOT404

  • 13+

  • -
  • 全新原裝,現貨,價優!

  • PHB50N06T
    PHB50N06T

    PHB50N06T

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B

    資質:營業執照

  • 32559

  • NXP/恩智浦

  • TO-263

  • 22+

  • -
  • 終端免費提樣,可開票

  • PHB50N06T
    PHB50N06T

    PHB50N06T

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯系人:李先生

    電話:13760200702

    地址:深圳市龍崗區坂田街道五和大道山海商業廣場C棟706

    資質:營業執照

  • 20000

  • PHILIPS

  • TO-263

  • 假一賠十!!

  • -
  • 絕對原裝現貨!

  • PHB50N06T
    PHB50N06T

    PHB50N06T

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯系人:彭先生

    電話:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田區華強北街道荔村社區振興路120號賽格科技園4棟中10層10A28

    資質:營業執照

  • 6000

  • N

  • SOT404(D

  • 22+

  • -
  • 十年配單,只做原裝

  • PHB50N06T
    PHB50N06T

    PHB50N06T

  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯系人:彭先生

    電話:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G

  • 20000

  • PHILIPS

  • TO-263

  • 08+

  • -
  • 絕對公司原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共18條 
  • 1
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  • 制造商
  • PHILIPS
  • 制造商全稱
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • TrenchMOS transistor Standard level FET
PHB50N06T 技術參數
  • PHB47NQ10T,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):47A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):66nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):3100pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):166W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):28 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標準包裝:1 PHB45NQ15T,118 功能描述:MOSFET N-CH 150V 45.1A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):150V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):45.1A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):32nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1770pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):230W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):42 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標準包裝:1 PHB45NQ10T,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):47A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):61nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2600pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):150W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):25 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標準包裝:1 PHB38N02LT,118 功能描述:MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):44.7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):16 毫歐 @ 25A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):15.1nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):800pF @ 20V 功率 - 最大值:57.6W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 PHB33NQ20T,118 功能描述:MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):32.7A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):32.2nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1870pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):230W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):77 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標準包裝:1 PHB66NQ03LT,118 PHB73N06T,118 PHB78NQ03LT,118 PHB95NQ04LT,118 PHB96NQ03LT,118 PHC.0B.302.CLLD42Z PHC.0B.303.CLLD35 PHC.0B.303.CLLD35Z PHC.0B.303.CLLD42Z PHC.0B.303.CLLD52Z PHC.0B.304.CLLD21 PHC.0B.304.CLLD42 PHC.0B.304.CLLD42Z PHC.0B.304.CLLD52 PHC.0B.304.CLLD56Z PHC.0B.304.CYMD42Z PHC.0B.305.CLLD31Z PHC.0B.305.CLLD42
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