欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好,歡迎來到買賣IC網 登錄 | 免費注冊
您現在的位置:買賣IC網 > P字母型號搜索 > P字母第1155頁 >

PHD96NQ03LT,118

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • PHD96NQ03LT,118
    PHD96NQ03LT,118

    PHD96NQ03LT,118

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:曹先生

    電話:13487865852

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 80165

  • NXP USA Inc.

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • PHD96NQ03LT,118
    PHD96NQ03LT,118

    PHD96NQ03LT,118

  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:0755-8320801015711992892

    地址:都會軒3607

    資質:營業執照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • DPAK

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 25V 75A ...

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
PHD96NQ03LT,118 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET TAPE13 MOSFET
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
PHD96NQ03LT,118 技術參數
  • PHD71NQ03LT,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 75A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):13.2nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1220pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):120W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 標準包裝:1 PHD45NQ15T,118 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRENCH-150 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 PHD33NQ20T,118 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRENCH-200 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 PHD13005,127 功能描述:TRANS NPN 400V 4A TO220AB 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):4A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 1A,4A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):10 @ 2A,5V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1,000 PHD13003C,412 功能描述:TRANS NPN 400V 1.5A SOT54 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1.5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 500mA,1.5A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):5 @ 1A,2V 功率 - 最大值:2.1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:10,000 PHDR-14VS PHDR-16VS PHDR-18VS PHDR-20VS PHDR-22VS PHDR-24VS PHDR-26VS PHDR-28VS PHDR-30VS PHDR-32VS PHDR-34VS PHE.1B.310.CLLD42Z PHE.3K.303.CYMK13 PHE.3K.330.CYMC85 PHE.4K.320.CYMC13 PHE.4K.320.CYMC95 PHE13003A,126 PHE13003A,412
配單專家

在采購PHD96NQ03LT,118進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規避購買PHD96NQ03LT,118產品風險,建議您在購買PHD96NQ03LT,118相關產品前務必確認供應商資質及產品質量。

免責聲明:以上所展示的PHD96NQ03LT,118信息由會員自行提供,PHD96NQ03LT,118內容的真實性、準確性和合法性由發布會員負責。買賣IC網不承擔任何責任。

買賣IC網 (www.cjreal.com) 版權所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術有限公司 | 粵公網安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號
主站蜘蛛池模板: 吉安市| 华安县| 禄劝| 雅江县| 大渡口区| 瑞昌市| 嘉祥县| 嵊泗县| 综艺| 蓝田县| 云霄县| 稻城县| 中宁县| 越西县| 大庆市| 天峨县| 聂拉木县| 都匀市| 石棉县| 县级市| 南投市| 旬阳县| 吉木萨尔县| 中宁县| 和静县| 内丘县| 福清市| 乌兰浩特市| 青州市| 木里| 大埔区| 兴城市| 苍南县| 镇安县| 安宁市| 深州市| 同仁县| 沂源县| 杭锦后旗| 和田县| 天等县|