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PHNR-03C-H

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

PHNR-03C-H
北京天陽誠業科貿有限公司
北京天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
29345
JST
con
24+
-
外殼

PHNR-03C-H
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業執照
29345
JST
con
24+
-
外殼

PHNR-03C-H
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
JST
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

PHNR-03C-H
深圳市品業電子有限公司
深圳市品業電子有限公司
聯系人：李小姐
電話：0755-23895664
地址：華強街道振華路深紡大廈C座2樓2H55
22000
JST
*
2018.02
-
只做原裝正品現貨價格優勢 QQ咨詢

PHNR-03C-H
北京力通科信電子有限公司
北京力通科信電子有限公司
聯系人：韓小姐
電話：13661385246
地址：北京市海淀區知春路118號知春大廈B座1504室，新中發電子市場B1303-b1305柜臺
3960
JST
SMD
19+
-
進口原裝公司現貨庫存

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1

您是不是要找： PHNTRAYH PHNTRAYNOH PHO5_14//PSSG//13B12D5//S6R//**DD** PH-OB PHOTONH PHOTONKIT PHOTONNOH PHP.0F.303.XLM PHP.0F.305.NLM

PHNR-03C-H PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

PHNR-03C-H 技術參數

PHN210T,118 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 2.2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:250pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 PHL5830AL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8HVSON 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:- 封裝/外殼:- 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 PHL3212 功能描述:LABEL 3"X1.5" BLUE/RED/WHITE 制造商:panduit corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售類型:標簽標簽類型:- 標簽尺寸:3.00" 長 x 1.50" 寬（76.2mm x 38.1mm）材料:乙烯基顏色:藍色，紅色，白色配套使用產品/相關產品:- 標準包裝:1 PHK04P02T,518 功能描述:MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:16V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.66A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:600mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:528pF @ 12.8V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 1A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-SO 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）標準包裝:1 PHG.1B.308.CLLD52Z 功能描述:8 Position Circular Connector Receptacle, Female Sockets Solder Cup Gold 制造商:lemo 系列:1B 包裝:散裝零件狀態:有效連接器類型:插座，母形插口針腳數:8 外殼尺寸 - 插件:308 外殼尺寸，MIL:- 安裝類型:自由懸掛端接:焊杯緊固類型:推挽式，銷鎖朝向:G 侵入防護:IP50 - 防塵外殼材料，鍍層:黃銅，鍍鉻觸頭鍍層:金特性:后殼，屏蔽觸頭鍍層厚度:59μin（1.50μm）額定電流:- 電壓 - 額定:- 工作溫度:-55°C ~ 250°C 標準包裝:1 PHP.0F.305.XLM PHP.1F.308.XLM PHP.2F.308.XLM PHP.2M.319.XLMT PHP00603E1000BBT1 PHP00603E1000BST1 PHP00603E1001BBT1 PHP00603E1001BST1 PHP00603E1002BBT1 PHP00603E1002BST1 PHP00603E1010BBT1 PHP00603E1010BST1 PHP00603E1011BBT1 PHP00603E1011BST1 PHP00603E1012BBT1 PHP00603E1012BST1 PHP00603E1020BBT1 PHP00603E1020BST1