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PHP3055E,127

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  • 封裝
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  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • PHP3055E,127
    PHP3055E,127

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  • 深圳市銘昌源科技有限公司
    深圳市銘昌源科技有限公司

    聯系人:優質現貨代理商

    電話:0755-82774613鄧先生(13480915249)微信同步0755-82774613鄧先生

    地址:深圳市福田區振興路上步商務中心大廈205棟5A10

    資質:營業執照

  • 61586

  • Nexperia

  • SMD

  • 22+

  • -
  • 優勢代理,公司現貨可開票

  • PHP3055E,127
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  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:0755-8320801015711992892

    地址:都會軒3607

    資質:營業執照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • TO-220AB

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 60V 10.3...

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PHP3055E,127 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET RAIL PWRMOS
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
PHP3055E,127 技術參數
  • PHP29N08T,127 功能描述:MOSFET N-CH 75V 27A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):75V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):27A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):11V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):19nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):810pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):88W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):50 毫歐 @ 14A,11V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PHP28NQ15T,127 功能描述:MOSFET N-CH 150V 28.5A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):150V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):28.5A(Tj) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):24nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1250pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):150W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):65 毫歐 @ 18A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PHP27NQ11T,127 功能描述:MOSFET N-CH 110V 27.6A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):110V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):27.6A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):30nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1240pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):107W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):50 毫歐 @ 14A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PHP23NQ11T,127 功能描述:MOSFET N-CH 110V 23A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):110V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):23A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):22nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):830pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):100W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 13A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PHP225,118 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.3A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):250 毫歐 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):250pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 PHP45NQ11T,127 PHP45NQ15T,127 PHP47NQ10T,127 PHP500 PHP52N06T,127 PHP54N06T,127 PHP55N03LTA,127 PHP60 PHP63NQ03LT,127 PHP66NQ03LT,127 PHP71NQ03LT,127 PHP73N06T,127 PHP75NQ08T,127 PHP78NQ03LT,127 PHP79NQ08LT,127 PHP8.4 PHP83N03LT,127 PHP96NQ03LT,127
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