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PHT6N10T

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    PHT6N10T

    PHT6N10T

  • 深圳市中平科技有限公司
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    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

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  • 功能描述
  • TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | SOT-223
PHT6N10T 技術(shù)參數(shù)
  • PHT6N06T,135 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):175pF @ 25V 功率 - 最大值:8.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:SC-73 標準包裝:1 PHT6N06LT,135 功能描述:MOSFET N-CH 55V 2.5A SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 5A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):330pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:SC-73 標準包裝:1 PHT-653067 功能描述:TIP REPL .04" CON LONG 650SRS 制造商:oki/metcal 系列:PS-800,650 零件狀態(tài):停產(chǎn) 尖頭 - 類型:焊接 尖頭 - 尺寸:0.04" 外徑 x 0.59" 長(1.02mm x 14.99mm) 尖頭 - 形狀:圓錐形 溫度范圍:- 配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:PS-HC1 標準包裝:1 PHT-652335 功能描述:TIP REPL .02" CON BENT 650SRS 制造商:oki/metcal 系列:PS-800,650 零件狀態(tài):停產(chǎn) 尖頭 - 類型:焊接 尖頭 - 尺寸:0.02" 外徑 x 0.39" 長(0.51mm x 9.91mm) 尖頭 - 形狀:圓錐形,彎曲 溫度范圍:- 配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:PS-HC1 標準包裝:1 PHT-652327 功能描述:TIP REPL 0.016" CON BENT 650SRS 制造商:oki/metcal 系列:PS-800,650 零件狀態(tài):停產(chǎn) 尖頭 - 類型:焊接 尖頭 - 尺寸:0.016" 外徑 x 0.63" 長(0.41mm x 16mm) 尖頭 - 形狀:圓錐形,彎曲 溫度范圍:- 配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:PS-HC1 標準包裝:1 PHT-752035 PHT-752057 PHT-752327 PHT-752335 PHT8N06LT,135 PHU.2M.319.XLMT PHU101NQ03LT,127 PHU108NQ03LT,127 PHU11NQ10T,127 PHU-131P.HOLDER PHU66NQ03LT,127 PHU77NQ03T,127 PHU78NQ03LT,127 PHU930-1312-011 PHU97NQ03LT,127 PHUA8060-35A-33-000 PHV1010N PHV1012N
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