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PMBFJ620115

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操作

PMBFJ620115
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
PH2
08+
-
假一罰十，百分百原裝正品

PMBFJ620115
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯系人：苗鳳軍
電話：17623594308
地址：深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業執照
4876
NXP
SOT-363
2229+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現貨！

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PMBFJ620115 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

PMBFJ620115 PDF下載

制造商
NXP Semiconductors
功能描述
JET N CH DUAL 25V SOT363

PMBFJ620115 技術參數

PMBFJ620,115 功能描述:JFET 2N-CH 25V 0.19W 6TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙）電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:25V 漏源極電壓（Vdss）:25V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:24mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:2V @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:50 歐姆安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 功率 - 最大值:190mW 標準包裝:1 PMBFJ310,215 功能描述:JFET N-CH 25V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:25V 漏源極電壓（Vdss）:25V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:24mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:2V @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:50 歐姆安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 PMBFJ309,215 功能描述:JFET N-CH 25V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:25V 漏源極電壓（Vdss）:25V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:12mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:1V @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:50 歐姆安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 PMBFJ177,215 功能描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:P 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:1.5mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:800mV @ 10nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8pF @ 10V（VGS）電阻 - RDS（開）:300 歐姆安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:300mW 標準包裝:1 PMBFJ176,215 功能描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:P 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:2mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:1V @ 10nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8pF @ 10V（VGS）電阻 - RDS（開）:250 歐姆安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:300mW 標準包裝:1 PMBT2369,215 PMBT2369,235 PMBT2907,215 PMBT2907A,215 PMBT2907A,235 PMBT2907A/DLTR PMBT2907A/MIGR PMBT2907A/MIGVL PMBT2907AYSX PMBT3904,215 PMBT3904,235 PMBT3904/8,215 PMBT3904M,315 PMBT3904MB,315 PMBT3904VS,115 PMBT3904YS,115 PMBT3906,215 PMBT3906,235