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PMDR-1

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

PMDR-1
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
5000
Panduit Corp
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

PMDR-10-19
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：史仙雁
電話：19129911934（手機優先微信同號）0755-82813018
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
1900
Panduit
ROHS
1322+
-
全新原裝正品歡迎來電0755-8286...

PMDR-10-19
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
3620
Panduit
ROHS
201305+
-
原裝正品，現貨庫存。400-800-03...

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1

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PMDR-1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

PMDR-1 PDF下載

功能描述
電線鑒定 POLYESTER FILM #1 TAPE 8’ ROLL
RoHS
否
制造商
TE Connectivity / Q-Cees
產品
Labels and Signs
類型
材料
Vinyl
顏色
Blue
寬度
0.625 in
長度
1 in

PMDR-1 技術參數

PMDR-0 功能描述:Wire Marker, Tape White Polyester 制造商:panduit corp 系列:PAN-CODE?? 包裝:卷零件狀態:有效類型:導線標記 - 膠帶尺寸:- 電纜直徑:剪切至所需的直徑圖例:0 顏色:白材料:聚酯工作溫度:- 標準包裝:10 PMDPB95XNE2X 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 2.7A 6HUSON 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:99 毫歐 @ 2.8A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:4.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:258pF @ 15V 功率 - 最大值:510mW（Ta）工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:6-HUSON（2x2）標準包裝:1 PMDPB95XNE,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.4A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 2A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:143pF @ 15V 功率 - 最大值:475mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:6-HUSON（2x2）標準包裝:1 PMDPB85UPE,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.9A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:103 毫歐 @ 1.3A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:8.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:514pF @ 10V 功率 - 最大值:515mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:DFN2020-6 標準包裝:1 PMDPB80XP,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 2.7A HUSON6 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅動漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.7A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:102 毫歐 @ 2.7A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:8.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:550pF @ 10V 功率 - 最大值:485mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:DFN2020-6 標準包裝:1 PMDR-6 PMDR-60-69 PMDR-7 PMDR-70-79 PMDR-8 PMDR-80-89 PMDR-9 PMDR-90-99 PMDR-A PMDR-B PMDR-BL PMDR-BLK PMDR-BRN PMDR-C PMDR-D PMDR-E PMDR-F PMDR-G