欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好，歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

管理采購發(fā)布采購信息

您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > P字母型號搜索 >

PME10-48S33W

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

沒找到與 " PME10-48S33W " 相關的供應商

您可以：

1. 縮短或修改您的搜索詞，重新搜索

2. 發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復發(fā)布緊急采購

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： PME261JB5220KR30 PME261JB5330KR30 PME261JC5680KR30 PME261JC6100KR19T0 PME261JC6100KR30 PME261KE7100KR30 PME264NC5330MR30 PME264NE5470MR30 PME264NE5680MR30

PME10-48S33W PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

PME10-48S33W 技術參數(shù)

PMDXB950UPEZ 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:500mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V 功率 - 最大值:265mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:DFN1010B-6 標準包裝:1 PMDXB950UPELZ 功能描述:20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:500mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V 功率 - 最大值:380mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:DFN1010B-6 標準包裝:1 PMDXB950UPE 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:500mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V 功率 - 最大值:265mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:6-DFN（1.1x1）標準包裝:1 PMDXB600UNEZ 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:600mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:620 毫歐 @ 600mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:21.3pF @ 10V 功率 - 最大值:265mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:DFN1010B-6 標準包裝:1 PMDXB600UNELZ 功能描述:20 V, DUAL N-CHANNEL TRENCH MOSF 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:600mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:620 毫歐 @ 600mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:21.3pF @ 10V 功率 - 最大值:380mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:DFN1010B-6 標準包裝:1 PME264NE6100MR30 PME271E510MR30 PME271E522MR30 PME271E547MR30 PME271E610MR30 PME271E622KR30 PME271ED6100MR30 PME271ED6150KR30 PME271ED6220KR30 PME271M422MR30 PME271M447MR30 PME271M510MR30 PME271M522MR30 PME271M533MR30 PME271M547MR19T0 PME271M547MR30 PME271M568MR30 PME271M610MR30