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PMN50UPE,115

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  • PMN50UPE,115
    PMN50UPE,115

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Nexperia

  • 原廠封裝

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  • PMN50UPE,115
    PMN50UPE,115

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  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 22550

  • NXP

  • TSOP6

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  • 每一片都來自原廠,正品保證

  • PMN50UPE,115
    PMN50UPE,115

    PMN50UPE,115

  • 深圳市銘昌源科技有限公司
    深圳市銘昌源科技有限公司

    聯(lián)系人:優(yōu)質現(xiàn)貨代理商

    電話:0755-82774613鄧先生(13480915249)微信同步0755-82774613鄧先生

    地址:深圳市福田區(qū)振興路上步商務中心大廈205棟5A10

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 57522

  • Nexperia

  • SMD

  • 22+

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  • PMN50UPE,115
    PMN50UPE,115

    PMN50UPE,115

  • 深圳市芯馳科技有限公司
    深圳市芯馳科技有限公司

    聯(lián)系人:丁皓鵬

    電話:1866538497818124166365

    地址:福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • PHA

  • SOT457

  • 15+

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  • 原裝正品,價格優(yōu)勢!

  • PMN50UPE,115
    PMN50UPE,115

    PMN50UPE,115

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯(lián)系人:李先生

    電話:0755-292759351581559886118576729816

    地址:廣東省 深圳市 福田區(qū) 華強北賽格科技園6C18室

  • 82490

  • NXP

  • SC-74

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PMN50UPE,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • PMN50UPE/SC-74/REEL7// - Tape and Reel
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH SINGLE 20V 6TSOP
PMN50UPE,115 技術參數(shù)
  • PMN49EN,135 功能描述:MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.6A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):47 毫歐 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):8.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):350pF @ 30V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應商器件封裝:6-TSOP 標準包裝:1 PMN48XP,125 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.1A SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.1A(Ta) 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):13nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1000pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):530mW(Ta),6.25W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):55 毫歐 @ 2.4A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 標準包裝:1 PMN48XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.1A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):13nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1000pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):530mW(Ta),6.25W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):55 毫歐 @ 2.4A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 標準包裝:1 PMN45EN,135 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.2A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):40 毫歐 @ 3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):495pF @ 25V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應商器件封裝:6-TSOP 標準包裝:1 PMN42XPEAH 功能描述:PMN42XPEA SOT457 SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.7A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):17.3nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1410pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):500mW(Ta),8.33W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):46 毫歐 @ 3A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 標準包裝:1 PMN80XP,115 PMNF1-3F-3K PMNF1-3F-C PMNF1-3R-3K PMNF1-3R-C PMNF1-3R-X PMNF1-4F-3K PMNF1-4F-C PMNF1-4R-C PMNF1-4R-X PMNF1-5F-C PMNF1-5R-C PMNF1-5R-X PMNF2-3F-3K PMNF2-3F-C PMNF2-3R-3K PMNF2-3R-C PMNF2-3R-X
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