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PMPB43XPE,115

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PMPB43XPE,115
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業執照
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NEXPERIA
con
24+
-

PMPB43XPE,115
天陽誠業科貿有限公司
天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
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NEXPERIA
con
24+
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PMPB43XPE,115
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室
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NEXPERIA
con
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現貨常備京北通宇商城可查價格

PMPB43XPE,115
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
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原廠封裝
最新批號
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一級代理.原裝特價現貨！

PMPB43XPE,115
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
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NXP Semiconductors
6-XFDFN Exposed Pad
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全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

PMPB43XPE,115
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
90000
NXP Semiconductors
6-DFN2020MD（2x2）
18+
-
MOSFET P-CH 20V 5A 6...

PMPB43XPE,115
深圳市芯馳科技有限公司
深圳市芯馳科技有限公司
聯系人：丁皓鵬
電話：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331
資質：營業執照
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PHA
SOT1220
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原裝正品，價格優勢！

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
Trans MOSFET P-CH 20V 5A 6-Pin DFN EP T/R
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
PMPB43XPE/SOT1220/REEL7// - Tape and Reel
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET P-CH 20V SGL SOT1220

PMPB43XPE,115 技術參數

PMPB40SNA,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12.9A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:43 毫歐 @ 4.8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:612pF @ 30V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）標準包裝:1 PMPB40ENAX 功能描述:MOSFET N-CH 60V 5A 6DFN2020MD 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:18nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:590pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:15W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:43 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMPB33XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.5A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.5A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:23nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1575pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:37 毫歐 @ 5.5A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMPB33XN,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 4.3A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.3A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:505pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta），8.3W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:47 毫歐 @ 4.3A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMPB29XPE,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:45nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2970pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:32.5 毫歐 @ 5A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMPB95ENEAX PMP-BUCKET PMPF-1P PMPF-1PF PMR01ZZPJ000 PMR01ZZPJU10L PMR03EZPFU10L0 PMR03EZPJ000 PMR03EZPJU10L PMR100HZPFU10L0 PMR100HZPFU5L00 PMR100HZPFU6L00 PMR100HZPFU7L00 PMR100HZPFU8L00 PMR100HZPFU9L00 PMR100HZPFV1L00 PMR100HZPFV1L50 PMR100HZPFV2L00

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