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PMR18EZPFU7L00

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

PMR18EZPFU7L00
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
Rohm Semiconductor
標(biāo)準(zhǔn)封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

PMR18EZPFU7L00
深圳市百潤電子有限公司
深圳市百潤電子有限公司
聯(lián)系人：梁
電話：17876146278
地址：沙頭街道下沙社區(qū)濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A
1000
ROHM
1206
21+
-
全新原裝正品*海量現(xiàn)貨庫存*全網(wǎng)最低

PMR18EZPFU7L00
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
聯(lián)系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907
5000
ROHM SEMICONDUCTOR
價格優(yōu)勢
2439
-
全新原裝渠道現(xiàn)貨

PMR18EZPFU7L00
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：13428937514
地址：門市: 新華強(qiáng)廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場58樓5813室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
100
ROHM
-
公司現(xiàn)貨！只做原裝！

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功能描述
RES .007 OHM 3/4W 1% 1206 SMD
RoHS
是
類別
電阻器 >> 芯片電阻 - 表面安裝
系列
PMR18
產(chǎn)品目錄繪圖
ERA-(2,6)A Series
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1
系列
ERA-6A
電阻（歐姆）
1M
功率（瓦特）
0.125W，1/8W
復(fù)合體
薄膜
特點(diǎn)
-
溫度系數(shù)
±25ppm/°C
容差
±0.1%
封裝/外殼
0805（2012 公制）
尺寸/尺寸
0.079" L x 0.049" W（2.00mm x 1.25mm）
高度
0.024"（0.60mm）
端子數(shù)
2
包裝
Digi-Reel®
產(chǎn)品目錄頁面
2242 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱
P1MDADKR

PMR18EZPFU7L00 技術(shù)參數(shù)

PMR10RI 功能描述:SENS PHOTO 10M SPDT 制造商:carlo gavazzi inc. 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售感應(yīng)距離:393.701"（10m）感應(yīng)方法:反射輸出類型:- 響應(yīng)時間:20ms，30ms 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊，導(dǎo)線引線工作溫度:-25°C ~ 55°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMPB95ENEAX 功能描述:MOSFET N-CH 80V 2.8A SOT1220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.8A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:14.9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:504pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta），15.6W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 2.8A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMPB55ENEAX 功能描述:MOSFET N-CH 60V 4A 6DFN2020MD 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:435pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.65W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:56 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMPB48EP,115 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4.7A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.7A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:26nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:860pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 4.7A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMPB47XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:21nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1365pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:58 毫歐 @ 4A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMR18EZPJU8L0 PMR18EZPJU9L0 PMR18EZPJV2L0 PMR18EZPJV3L0 PMR18EZPJV4L0 PMR205AC6470M047R30 PMR205AC6470M220R30 PMR209MB5470M047R30 PMR209MB5470M100R30 PMR209MC6100M022R30 PMR209MC6100M047R30 PMR209MC6100M100R30 PMR209MC6100M220R30 PMR209MC6100M470R30 PMR209MC6220M022R30 PMR209MC6220M047R30 PMR209MC6220M100R30 PMR209MC6220M220R30