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PMXB360ENEAZ

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型號(hào)
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數(shù)量
廠商
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批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

PMXB360ENEAZ
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
NEXPERIA/安世
SOT1215
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

PMXB360ENEAZ
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
367070
NEXPERIA
con
24+
-

PMXB360ENEAZ
北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
20
NEXPERIA
con
24+
-
場(chǎng)效應(yīng)管

PMXB360ENEAZ
天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
367070
NEXPERIA
con
24+
-

PMXB360ENEAZ
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓5層505室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
20
NEXPERIA
con
24+
-
場(chǎng)效應(yīng)管

PMXB360ENEAZ
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯(lián)系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國際大廈903室
367070
NEXPERIA
con
24+
-
現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價(jià)格

PMXB360ENEAZ
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
NEXPERIA
原廠封裝
最新批號(hào)
-
一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

PMXB360ENEAZ
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
100000
NEXPERIA/安世
SOT1215
23+22+
-
授權(quán)代理/原廠FAE技術(shù)支持

PMXB360ENEAZ
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會(huì)軒3607
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
90000
NXP Semiconductors
DFN1010D-3
18+
-
MOSFET N-CH 80V 1.1A...

PMXB360ENEAZ
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
聯(lián)系人：許先生
電話：18898761413
地址：華強(qiáng)北都會(huì)軒4507
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
NEXPERIA/安世
SOT1215
24+
-
原裝正品，可含稅供應(yīng)。品質(zhì)保障

PMXB360ENEAZ
深圳市芯馳科技有限公司
深圳市芯馳科技有限公司
聯(lián)系人：丁皓鵬
電話：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029號(hào)南光捷佳大廈2331
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
10000
PHA
SOT1215
15+
-
原裝正品，價(jià)格優(yōu)勢(shì)！

PMXB360ENEAZ
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
聯(lián)系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907
10000
NEXPERIA
價(jià)格優(yōu)勢(shì)
2433
-
全新原裝渠道現(xiàn)貨

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
PMXB360ENEA/DFN1010D-3/REEL90DEGREET// - Tape and Reel

PMXB360ENEAZ 技術(shù)參數(shù)

PMXB360ENEA 功能描述:MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.1A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:4.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:130pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta），6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:450 毫歐 @ 1.1A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DFN1010D-3 封裝/外殼:3-XDFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMXB350UPE 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.2A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.3nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:116pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），5.68W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:447 毫歐 @ 1.2A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DFN1010D-3 封裝/外殼:3-XDFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMXB120EPE 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.4A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:11nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:309pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta），8.3W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 2.4A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DFN1010D-3 封裝/外殼:3-XDFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMWD30UN,518 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:33 毫歐 @ 3.5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:28nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1478pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMWD26UN,518 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7.8A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 3.5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:23.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1366pF @ 16V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMXB75UPEZ PM-Y44 PM-Y44-C3 PM-Y44P PM-Y44P-C3 PM-Y45 PM-Y45-C3 PM-Y45-P PM-Y45-P-C3 PM-Y54 PM-Y54P PM-Y64 PM-Y64P PM-Y65 PM-Y65-P PMZ1000UN,315 PMZ1200UPEYL PMZ130UNEYL

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