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PN01262AAD

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  • 深圳市芯脈實業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：曹先生/高先生/周小姐

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PN01262AAD 技術(shù)參數(shù)
  • PMZB950UPEYL 功能描述:MOSFET P-CH 20V XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），2.7W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 500mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DFN1006B-3 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 PMZB950UPELYL 功能描述:MOSFET P-CH 20V 500MA 3DFN1006B 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 500mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:3-DFN1006B（0.6x1） 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 PMZB790SN,315 功能描述:MOSFET N-CH 60V SGL 3DFN 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:650mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:940 毫歐 @ 300mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.37nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:35pF @ 30V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-DFN1006B（0.6x1） 標準包裝:1 PMZB670UPE,315 功能描述:MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:680mA（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.14nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:87pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），2.7W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:850 毫歐 @ 400mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:3-DFN1006B（0.6x1） 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 PMZB600UNEYL 功能描述:MOSFET N-CH 20V XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:600mA（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.7nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:21.3pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），2.7W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:620 毫歐 @ 600mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DFN1006B-3 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 PN06541 PN06542 PN06543 PN06580 PN06586 PN08017 PN08019 PN08027 PN08029 PN08310 PN100 PN100_D26Z PN100_D27Z PN100_D74Z PN100_D75Z PN100A PN100A_D26Z PN100A_D27Z
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