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PQV114G370

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PQV114G370
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
1523
HITACHI
QFP
2024+
-
代理商庫房現貨

PQV114G370
深圳市科思奇電子科技有限公司
深圳市科思奇電子科技有限公司
聯系人：林小姐/歐陽先生
電話：0755-832450508278593918923762408微信同號
地址：深圳市福田區上步工業區501棟1109-1110室
資質：營業執照
6000
HITACHI
QFP
23+
-
只做原裝正品

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PQV114G370 技術參數

PQMH9Z 功能描述:TRANS NPN/NPN RET 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:10 千歐電阻器 - 發射極基底（R2）:47 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:230MHz 功率 - 最大值:230mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:DFN1010B-6 標準包裝:1 PQMH2Z 功能描述:TRANS NPN/NPN RET 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:47 千歐電阻器 - 發射極基底（R2）:47 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:230MHz 功率 - 最大值:230mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:DFN1010B-6 標準包裝:1 PQMH13Z 功能描述:TRANS NPN/NPN RET 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:4.7 千歐電阻器 - 發射極基底（R2）:47 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:230MHz 功率 - 最大值:230mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:DFN1010B-6 標準包裝:1 PQMH11Z 功能描述:TRANS NPN/NPN RET 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:10 千歐電阻器 - 發射極基底（R2）:10 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:230MHz 功率 - 最大值:230mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:DFN1010B-6 標準包裝:1 PQMH10Z 功能描述:TRANS NPN/NPN RET 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:2.2 千歐電阻器 - 發射極基底（R2）:47 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:230MHz 功率 - 最大值:350mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:DFN1010B-6 標準包裝:1 PQZ6-Q48-D5-D PQZ6-Q48-S12-D PQZ6-Q48-S15-D PQZ6-Q48-S3-D PQZ6-Q48-S5-D PR PR 100A PR 150 PR 2000 PR 26M PR 28A PR 32A PR 33A PR 37AG PR 37AR PR-002A PR-002B PR01000101000JA100