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PSMN1R5-30BLEJ

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • PSMN1R5-30BLEJ
    PSMN1R5-30BLEJ

    PSMN1R5-30BLEJ

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 367007

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • 現貨常備京北通宇商城可查價格

  • PSMN1R5-30BLEJ
    PSMN1R5-30BLEJ

    PSMN1R5-30BLEJ

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505(京北通宇)

    資質:營業執照

  • 367007

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • PSMN1R5-30BLEJ
    PSMN1R5-30BLEJ

    PSMN1R5-30BLEJ

  • 天陽誠業科貿有限公司
    天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

  • 367007

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • PSMN1R5-30BLEJ
    PSMN1R5-30BLEJ

    PSMN1R5-30BLEJ

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B

    資質:營業執照

  • 48000

  • NEXPERIA/安世

  • SOT404

  • -
  • 授權代理/原廠FAE技術支持

  • PSMN1R5-30BLEJ
    PSMN1R5-30BLEJ

    PSMN1R5-30BLEJ

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • NXP

  • D2PAK

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號,原裝正品現貨!

  • PSMN1R5-30BLEJ
    PSMN1R5-30BLEJ

    PSMN1R5-30BLEJ

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • PSMN1R5-30BLEJ
    PSMN1R5-30BLEJ

    PSMN1R5-30BLEJ

  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:0755-8320801015711992892

    地址:都會軒3607

    資質:營業執照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • D2PAK

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 30V 120A...

  • PSMN1R5-30BLEJ
    PSMN1R5-30BLEJ

    PSMN1R5-30BLEJ

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 11220

  • NXP SEMIC

  • 剪切帶(CT

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共16條 
  • 1
PSMN1R5-30BLEJ PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • PSMN1R5-30BLE/D2PAK/REEL13// - Tape and Reel
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V D2PAK
PSMN1R5-30BLEJ 技術參數
  • PSMN1R5-25YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):25V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):76nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):4830pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):109W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.5 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 PSMN1R4-40YLDX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):96nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):6661pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):238W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.4 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 PSMN1R4-30YLDX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):54.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):3840pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):166W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.42 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 PSMN1R3-30YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):100nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):6227pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):121W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.3 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SOT-1023,4-LFPAK 標準包裝:1 PSMN1R2-30YLDX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):68nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):4616pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):194W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.24 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 PSMN1R7-25YLC,115 PSMN1R7-25YLDX PSMN1R7-30YL,115 PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R8-30BL,118 PSMN1R8-30PL,127 PSMN1R8-40YLC,115 PSMN1R9-25YLC,115 PSMN1R9-40PLQ PSMN2R0-25MLDX PSMN2R0-25YLDX PSMN2R0-30BL,118 PSMN2R0-30PL,127 PSMN2R0-30YL,115 PSMN2R0-30YLDX PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-60ES,127 PSMN2R0-60PS,127
配單專家

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