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PSMN5R3-25MLDX

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • PSMN5R3-25MLDX
    PSMN5R3-25MLDX

    PSMN5R3-25MLDX

  • 深圳市億聯芯電子科技有限公司
    深圳市億聯芯電子科技有限公司

    聯系人:吳經理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • SOT1210

  • 2021+

  • -
  • ★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

  • PSMN5R3-25MLDX
    PSMN5R3-25MLDX

    PSMN5R3-25MLDX

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505(京北通宇)

    資質:營業執照

  • 367289

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • PSMN5R3-25MLDX
    PSMN5R3-25MLDX

    PSMN5R3-25MLDX

  • 天陽誠業科貿有限公司
    天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

  • 367289

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • PSMN5R3-25MLDX
    PSMN5R3-25MLDX

    PSMN5R3-25MLDX

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 367289

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • 現貨常備京北通宇商城可查價格

  • PSMN5R3-25MLDX
    PSMN5R3-25MLDX

    PSMN5R3-25MLDX

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • PSMN5R3-25MLDX
    PSMN5R3-25MLDX

    PSMN5R3-25MLDX

  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:0755-8320801015711992892

    地址:都會軒3607

    資質:營業執照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • LFPAK33

  • 18+

  • -
  • PSMN5R3-25MLD/MLFPAK...

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
PSMN5R3-25MLDX PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • PSMN5R3-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q
  • 制造商
  • nexperia usa inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術
  • MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 25V
  • 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
  • 70A(Tc)
  • 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 4.5V,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值)
  • 12.7nC @ 10V
  • Vgs(最大值)
  • ±20V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
  • 858pF @ 12V
  • FET 功能
  • 肖特基二極管(體)
  • 功率耗散(最大值)
  • 51W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 5.9 毫歐 @ 15A, 10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應商器件封裝
  • LFPAK33
  • 封裝/外殼
  • SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引線)
  • 標準包裝
  • 1
PSMN5R3-25MLDX 技術參數
  • PSMN5R2-60YLX 功能描述:MOSFET N-CH 60V LFPAK56 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):39.4nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):6319pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):195W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.2 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 PSMN5R0-80PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):80V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):101nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):6793pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):270W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.7 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PSMN5R0-80BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):80V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):101nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):6793pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散(最大值):270W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.1 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標準包裝:1 PSMN5R0-30YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 91A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):91A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):29nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1760pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):61W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 PSMN5R0-100XS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 67.5A TO-220F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):67.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 15A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):153nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):9900pF @ 50V 功率 - 最大值:63.8W 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 全封裝,隔離接片 供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:50 PSMN5R8-40YS,115 PSMN5R9-30YL,115 PSMN6R0-25YLB,115 PSMN6R0-25YLDX PSMN6R0-30YL,115 PSMN6R0-30YLB,115 PSMN6R0-30YLDX PSMN6R1-25MLDX PSMN6R1-30YLDX PSMN6R3-120ESQ PSMN6R3-120PS PSMN6R4-30MLDX PSMN6R5-25YLC,115 PSMN6R5-30MLDX PSMN6R5-80BS,118 PSMN6R5-80PS,127 PSMN6R9-100YSFQ PSMN6R9-100YSFX
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