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PUMD48(4T8)

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    PUMD48(4T8)

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質:營業執照

  • 10423

  • PHILIPS

  • SOT363

  • 2024+

  • -
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PUMD48(4T8) 技術參數
  • PUMD4,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):10 千歐 電阻器 - 發射極基底(R2):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 1mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 PUMD3,165 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):10 千歐 電阻器 - 發射極基底(R2):10 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 PUMD3,135 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):10 千歐 電阻器 - 發射極基底(R2):10 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 基本零件編號:P*MD3 標準包裝:1 PUMD3,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):10 千歐 電阻器 - 發射極基底(R2):10 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 基本零件編號:P*MD3 標準包裝:1 PUMD2,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):22 千歐 電阻器 - 發射極基底(R2):22 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 基本零件編號:MD2 標準包裝:1 PUMD9,135 PUMD9,165 PUME925-3E-C350 PUME925-4E-C350 PUME925-D350 PUMF11,115 PUMF12,115 PUMH1,115 PUMH1/DG/B3,115 PUMH10,115 PUMH10,125 PUMH10Z PUMH11,115 PUMH11F PUMH13,115 PUMH13F PUMH14,115 PUMH15,115
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