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PVS0206B3504

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PVS0206B3504 技術參數
  • PVR100AZ-B5V0,115 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN + 齊納 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):160 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:550mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:SC-73 標準包裝:1 PVR100AZ-B3V3,115 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN + 齊納 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):160 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:550mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:SC-73 標準包裝:1 PVR100AZ-B3V0,115 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN + 齊納 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):160 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:550mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:SC-73 標準包裝:1 PVR100AZ-B2V5,115 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT-223 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN + 齊納 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):160 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:550mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:SC-73 標準包裝:1 PVR100AZ-B12V,115 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN + 齊納 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):160 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:550mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:SC-73 標準包裝:1 PVS0305B3506 PVS0305B3512 PVS0305B3517 PVS0305B3520 PVS0305B3523 PVS0305B3524 PVS0305B3525 PVS0305B3526 PVS0305B3527 PVS0305B3529 PVS0305B3530 PVS0305B3531 PVS0305B3535 PVS0305B3538 PVS0305B3540 PVS0305B3541 PVS0305B3548 PVS0305B3550
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