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P6SMB12AT3

配單專家企業名單
  • 型號
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  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
P6SMB12AT3 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 12V 600W
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 極性
  • Bidirectional
  • 工作電壓
  • 擊穿電壓
  • 58.9 V
  • 鉗位電壓
  • 77.4 V
  • 峰值浪涌電流
  • 38.8 A
  • 系列
  • 封裝 / 箱體
  • DO-214AB
  • 最小工作溫度
  • - 55 C
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
P6SMB12AT3 技術參數
  • P6SMB120A 功能描述:TVS DIODE 102VWM 165VC DO214AA 制造商:littelfuse inc. 系列:P6SMB 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態(典型值):102V 電壓 - 擊穿(最小值):114V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:165V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):3.7A 功率 - 峰值脈沖:600W 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AA,SMB 供應商器件封裝:DO-214AA(SMBJ) 標準包裝:3,000 P6SMB110CA 功能描述:TVS DIODE 94VWM 152VC SMD 制造商:littelfuse inc. 系列:P6SMB 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 類型:齊納 單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態(典型值):94V 電壓 - 擊穿(最小值):105V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:152V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):4A 功率 - 峰值脈沖:600W 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AA,SMB 供應商器件封裝:DO-214AA(SMBJ) 標準包裝:3,000 P6SMB110A 功能描述:TVS DIODE 94VWM 152VC DO214AA 制造商:littelfuse inc. 系列:P6SMB 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態(典型值):94V 電壓 - 擊穿(最小值):105V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:152V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):4A 功率 - 峰值脈沖:600W 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AA,SMB 供應商器件封裝:DO-214AA(SMBJ) 標準包裝:3,000 P6SMB100CA 功能描述:TVS DIODE 85.5VWM 137VC SMD 制造商:littelfuse inc. 系列:P6SMB 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 類型:齊納 單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態(典型值):85.5V 電壓 - 擊穿(最小值):95V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:137V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):4.5A 功率 - 峰值脈沖:600W 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AA,SMB 供應商器件封裝:DO-214AA(SMBJ) 標準包裝:3,000 P6P82PS01AG-08CR 制造商:ON Semiconductor 功能描述:3.3V GP EMI-PS - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:3.3V GP EMI-PS - Cut TR (SOS) P6SMB12CAHM4G P6SMB12CAHR5G P6SMB12CA-M3/52 P6SMB12CA-M3/5B P6SMB12CAT3 P6SMB12CAT3G P6SMB13 P6SMB130 P6SMB130A P6SMB130A M4G P6SMB130A R5G P6SMB130A-E3/52 P6SMB130A-E3/5B P6SMB130AHE3/52 P6SMB130AHE3/5B P6SMB130AHM4G P6SMB130AHR5G P6SMB130A-M3/52
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