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PBLS4002Y

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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • TRANSISTOR SWITCH SOT-363
PBLS4002Y 技術參數
  • PBLS4002V,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:1 NPN 預偏壓式,1 PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA,500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V,40V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):4.7k 電阻器 - 發射極基底(R2)(歐姆):4.7k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 10mA,5V / 150 @ 100mA,2V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA / 350mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:300MHz 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-666 標準包裝:1 PBLS4002D,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 晶體管類型:1 NPN 預偏壓式,1 PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA,700mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V,40V 電阻器 - 基底(R1):4.7 千歐 電阻器 - 發射極基底(R2):4.7 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 10mA,5V / 300 @ 100mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA / 310mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA,100nA 頻率 - 躍遷:150MHz 功率 - 最大值:600mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應商器件封裝:6-TSOP 基本零件編號:PBLS4002 標準包裝:1 PBLS4001Y,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:1 NPN 預偏壓式,1 PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA,500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V,40V 電阻器 - 基底(R1):2.2 千歐 電阻器 - 發射極基底(R2):2.2 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 20mA,5V / 150 @ 100mA,2V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA / 350mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:300MHz 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 基本零件編號:PBLS4001 標準包裝:1 PBLS4001V,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:1 NPN 預偏壓式,1 PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA,500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V,40V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):2.2k 電阻器 - 發射極基底(R2)(歐姆):2.2k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 20mA,5V / 150 @ 100mA,2V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA / 350mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:300MHz 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-666 標準包裝:1 PBLS4001D,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 晶體管類型:1 NPN 預偏壓式,1 PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA,700mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V,40V 電阻器 - 基底(R1):2.2 千歐 電阻器 - 發射極基底(R2):2.2 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 20mA,5V / 300 @ 100mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA / 310mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA,100nA 頻率 - 躍遷:150MHz 功率 - 最大值:600mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應商器件封裝:6-TSOP 基本零件編號:PBLS4001 標準包裝:1 PBLS4005Y,115 PBLS6001D,115 PBLS6002D,115 PBLS6003D,115 PBLS6004D,115 PBLS6005D,115 PBLS6021D,115 PBLS6022D,115 PBLS6023D,115 PBLS6024D,115 PBLSP600 PBLT0600 PBM0001 BK005 PBM0001 BK008 PBM0001 GR002 PBM0001 RD005 PBM0001 RD008 PBM0001 YL002
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