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PD57018S

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功能描述
射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch 65 Volt 2.5 Amp
RoHS
否
制造商
Freescale Semiconductor
配置
Single
晶體管極性
頻率
1800 MHz to 2000 MHz
增益
27 dB
輸出功率
100 W
汲極/源極擊穿電壓
漏極連續電流
閘/源擊穿電壓
最大工作溫度
封裝 / 箱體
NI-780-4
封裝
Tray

PD57018S 技術參數

PD57018-E 功能描述:FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS 頻率:945MHz 增益:16.5dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:2.5A 噪聲系數:- 電流 - 測試:100mA 功率 - 輸出:18W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤供應商器件封裝:10-PowerSO 標準包裝:50 PD57006TR-E 功能描述:TRANSISTOR RF POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:LDMOS 頻率:945MHz 增益:15dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:1A 噪聲系數:- 電流 - 測試:70mA 功率 - 輸出:6W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線）供應商器件封裝:PowerSO-10RF（成形引線）標準包裝:1 PD57006STR-E 功能描述:TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS 頻率:945MHz 增益:15dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:1A 噪聲系數:- 電流 - 測試:70mA 功率 - 輸出:6W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條直引線）供應商器件封裝:PowerSO-10RF（直引線）標準包裝:1 PD57006S-E 功能描述:FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS 頻率:945MHz 增益:15dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:1A 噪聲系數:- 電流 - 測試:70mA 功率 - 輸出:6W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤供應商器件封裝:PowerSO-10RF（直引線）標準包裝:50 PD57006-E 功能描述:FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS 頻率:945MHz 增益:15dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:1A 噪聲系數:- 電流 - 測試:70mA 功率 - 輸出:6W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線）供應商器件封裝:PowerSO-10RF（成形引線）標準包裝:50 PD57045S-E PD57045TR-E PD57060-E PD57060S-E PD57060STR-E PD57060TR-E PD57070-E PD57070S PD57070S-E PD57-1-1160-CANOPEN PD57-1-1160-TMCL PD57-1-1161 PD57-2-1160-CANOPEN PD57-2-1160-TMCL PD57-2-1161 PD5A235 PD5A245 PD5A335