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PD84008L-E

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功能描述
射頻MOSFET電源晶體管 POWER R.F. N-Ch Trans
RoHS
否
制造商
Freescale Semiconductor
配置
Single
晶體管極性
頻率
1800 MHz to 2000 MHz
增益
27 dB
輸出功率
100 W
汲極/源極擊穿電壓
漏極連續電流
閘/源擊穿電壓
最大工作溫度
封裝 / 箱體
NI-780-4
封裝
Tray

PD84008L-E 技術參數

PD84008-E 功能描述:FET RF 25V 870MHZ 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS 頻率:870MHz 增益:16.2dB 電壓 - 測試:7.5V 額定電流:7A 噪聲系數:- 電流 - 測試:250mA 功率 - 輸出:2W 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線）供應商器件封裝:PowerSO-10RF（成形引線）標準包裝:50 PD84006L-E 功能描述:FET RF 25V 870MHZ 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS 頻率:870MHz 增益:15dB 電壓 - 測試:7.5V 額定電流:5A 噪聲系數:- 電流 - 測試:150mA 功率 - 輸出:2W 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFLAT?（5x5）標準包裝:1 PD84006-E 功能描述:FET RF 25V 870MHZ PWRSO-10RF 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS 頻率:870MHz 增益:15dB 電壓 - 測試:7.5V 額定電流:5A 噪聲系數:- 電流 - 測試:150mA 功率 - 輸出:6W 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤供應商器件封裝:10-PowerSO 標準包裝:50 PD84002 功能描述:FET RF 25V 870MHZ 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS 頻率:870MHz 增益:15dB 電壓 - 測試:7.5V 額定電流:2A 噪聲系數:- 電流 - 測試:100mA 功率 - 輸出:2W 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:1 PD84001 功能描述:FET RF 18V 870MHZ 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS 頻率:870MHz 增益:15dB 電壓 - 測試:7.5V 額定電流:1.5A 噪聲系數:- 電流 - 測試:50mA 功率 - 輸出:30dBm 電壓 - 額定:18V 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:1 PD85015S-E PD85015STR-E PD85015TR-E PD85025C PD85025-E PD85025S-E PD85025STR-E PD85025TR-E PD85035A-E PD85035C PD85035-E PD85035S-E PD85035STR1-E PD85035STR-E PD85035TR-E PD85050S PD86-3-1180-CANOPEN PD86-3-1180-TMCL