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PHDR-08VS

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PHDR-08VS PDF下載

功能描述
CONN HOUSING PHD 8POS 2MM DUAL
RoHS
是
類別
連接器，互連式 >> 矩形 - 外殼
系列
PHD
產品目錄繪圖
50-57-94xx Series Side
標準包裝
500
系列
C-Grid® SL™ 70066
連接器類型
插座
觸點類型：
母形插口
位置數
3
間距
0.100"（2.54mm）
行數
1
行間距
-
安裝類型
自由懸掛
觸點終端
壓接
緊固型
銷鎖
顏色
黑
特點
-
包裝
散裝
請注意
不提供觸點
產品目錄頁面
191 (CN2011-ZH PDF)
工具箱
WM8491-ND - KIT CONN SL WTB
配套產品
WM2575-ND - CONN HSNG MALE 3POS .100 PNL MTWM4176-ND - CONN HEADER 3POS .100 R/A 15AUWM4165-ND - CONN HEADER 3POS .100 R/A TINWM4154-ND - CONN HEADER 3POS .100 R/A 30AUWM4143-ND - CONN HEADER 3POS .100 VERT 15AUWM4134-ND - CONN HEADER 3POS .100 VERT TINWM4123-ND - CONN HEADER 3POS .100 VERT 30AUWM17443-ND - CONN HEADER 3POS .100" VERT 15AUWM17436-ND - CONN HEADER 3POS .100" VERT TINWM7203-ND - CONN HEADER .100 VERT 3POS SMD更多...
配用
480-2020-ND - SENSOR SS BASIC SWITCH ROLLER480-2019-ND - SENSOR SS BASIC SWITCH PLUNGER480-2018-ND - SENSOR SS BASIC SWITCH PLUNGER
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其它名稱
0050-57-94030050-57-9403-C0050579403-C50-57-940350-57-9403-C50-57-9403-P5057940350579403-CWM2901

PHDR-08VS 技術參數

PHDMI2F4 功能描述:TVS DIODE 4.6VC 10XSON 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售類型:轉向裝置（軌至軌）單向通道:4 電壓 - 反向關態（典型值）:- 電壓 - 擊穿（最小值）:6V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:4.6V（標準）電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:5.2A（8/20μs）功率 - 峰值脈沖:- 電源線路保護:是應用:HDMI 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:10-XFDFN 供應商器件封裝:10-DFN2510（2.5x1）標準包裝:1 PHD71NQ03LT,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 75A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:13.2nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1220pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:120W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:1 PHD45NQ15T,118 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRENCH-150 RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 PHD33NQ20T,118 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRENCH-200 RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 PHD13005,127 功能描述:TRANS NPN 400V 4A TO220AB 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 1A，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10 @ 2A，5V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1,000 PHDR-28VS PHDR-30VS PHDR-32VS PHDR-34VS PHE.1B.310.CLLD42Z PHE.3K.303.CYMK13 PHE.3K.330.CYMC85 PHE.4K.320.CYMC13 PHE.4K.320.CYMC95 PHE13003A,126 PHE13003A,412 PHE13003C,126 PHE13003C,412 PHE13005,127 PHE13005X,127 PHE13005X/01,127 PHE13007,127 PHE13009,127