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PMGD780SN

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PMGD780SN
深圳市芯馳科技有限公司
深圳市芯馳科技有限公司
聯系人：丁皓鵬
電話：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331
資質：營業執照
100000
NXP
SOT363
15+
-
熱賣！原裝正品，價格優勢！

PMGD780SN,115
深圳市瑞斯特電子科技有限公司
深圳市瑞斯特電子科技有限公司
聯系人：楊銳鋒
電話：0755-8255091013189682405
地址：深圳福田區華強廣場二樓Q2B046
39000
NEXPERIA
-
高品質！價格美麗！

PMGD780SN115
深圳市柏新電子科技有限公司
深圳市柏新電子科技有限公司
聯系人：林小姐//方先生
電話：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發大廈60淀區知
3000
PH2
2012+
-
只做原裝正品。

PMGD780SN,115
科創特電子（香港）有限公司
科創特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907
63000
NEXPERIA
價格優勢
2351
-
全新原裝渠道現貨

PMGD780SN
甄芯網
甄芯網
聯系人：柯先生/趙小姐
電話：0755-83665813
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907 門市部：中航路都會電子3C002B
資質：營業執照
69000
NXP
SOT363
11+ROHS
-
自己庫存長期有貨

PMGD780SN
深圳市遠晨電子有限公司
深圳市遠晨電子有限公司
聯系人：周小姐/詹小姐
電話：0755-839722581341006000718138206816
地址：深圳市福田區振興西路101號華勻大廈1棟401室
資質：營業執照
250000
NXP
SOT363
18+
-
原裝正品現貨83972258

PMGD780SN
深圳市澤芯微科技有限公司
深圳市澤芯微科技有限公司
聯系人：柯小姐
電話：0755-8273028382732023
地址：中航路新亞洲國利大廈A座24層12室
623
nxp
sot363
09+
-
原裝現貨

PMGD780SN,115
深圳市鵬威爾科技有限公司
深圳市鵬威爾科技有限公司
聯系人：胡慶偉
電話：13138879988
地址：深圳市寶安區新安街道翻身路117號富源商貿中心D棟601
33000
NEX
ORIGONAL
16+
-
0.07198 USD,szpoweri...

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET NN CH 60V 0.49A SOT363

PMGD780SN 技術參數

PMGD400UN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:710mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:480 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.89nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:43pF @ 25V 功率 - 最大值:410mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 PMGD370XN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:740mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:440 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.65nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:37pF @ 25V 功率 - 最大值:410mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 PMGD290XN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:860mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:350 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.72nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:34pF @ 20V 功率 - 最大值:410mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 PMGD290UCEAX 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:725mA，500mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:380 毫歐 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.68nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:83pF @ 10V 功率 - 最大值:280mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 PMGD280UN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:870mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:340 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.89nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:45pF @ 20V 功率 - 最大值:400mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 PMH0805-400 PMH0805-601 PMH0805-800 PMH-10H-AC120V PMH-10H-AC220V PMH-10H-AC240V PMH-10H-AC24V PMH-10H-DC12V PMH-10H-DC24V PMH-10M-AC120V PMH-10M-AC240V PMH-10M-AC24V PMH-10M-DC12V PMH-10M-DC24V PMH1206-121 PMH1206-300 PMH1206-601 PMH1206-700

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