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PT11-21C/L41/TR8

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功能描述
光電晶體管 IR Phototransistor
RoHS
否
制造商
OSRAM Opto Semiconductors
最大功率耗散
165 mW
最大暗電流
200 nA
封裝 / 箱體
T-1

PT11-21C/L41/TR8 技術參數

PT104J2 功能描述:NTC Thermistor 100k Bead 制造商:us sensor 系列:PT 包裝:散裝零件狀態:有效 25°C 時歐姆阻值:100k 電阻容差:±0.2°C B 值容差:- B0/50:3892K B25/50:- B25/75:- B25/85:- B25/100:- 工作溫度:-80°C ~ 150°C 功率 - 最大值:30mW 長度 - 引線:1.50"（38.00mm）安裝類型:自由懸掛封裝/外殼:磁珠標準包裝:100 PT103J2 功能描述:NTC Thermistor 10k Bead 制造商:us sensor 系列:PT 包裝:散裝零件狀態:有效 25°C 時歐姆阻值:10k 電阻容差:±0.2°C B 值容差:- B0/50:3892K B25/50:- B25/75:- B25/85:- B25/100:- 工作溫度:-80°C ~ 150°C 功率 - 最大值:30mW 長度 - 引線:1.50"（38.00mm）安裝類型:自由懸掛封裝/外殼:磁珠標準包裝:100 PT100MF1MP1 功能描述:PHOTOTRANS DARL OUT CLEAR SMD 制造商:sharp microelectronics 系列:* 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期電壓 - 集射極擊穿（最大值）:35V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 電流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波長:910nm 視角:30° 功率 - 最大值:75mW 安裝類型:表面貼裝朝向:通用工作溫度:-30°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:2-SMD，無引線標準包裝:1 PT100MF0MP1 功能描述:PHOTO TRANS BLACK LENS 910NM SMD 制造商:sharp microelectronics 系列:* 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期電壓 - 集射極擊穿（最大值）:35V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 電流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波長:910nm 視角:30° 功率 - 最大值:75mW 安裝類型:表面貼裝朝向:通用工作溫度:-30°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:2-SMD，無引線標準包裝:1 PT100MF0MP 功能描述:PHOTO TRANS BLACK LENS 910NM SMD 制造商:sharp microelectronics 系列:* 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期電壓 - 集射極擊穿（最大值）:35V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 電流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波長:910nm 視角:30° 功率 - 最大值:75mW 安裝類型:表面貼裝朝向:通用工作溫度:-30°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:2-SMD，無引線標準包裝:1 PT-11557-G PT-1158 PT-1159 PT-1160 PT-1161 PT-1162 PT-1163 PT-11630 PT-11630-MB PT-1164 PT-11642 PT-11642-MB PT-1165 PT-11653 PT-11653-MB PT-11657 PT-11657-MB PT-11664