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PUMH9

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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • TRANSISTOR DIGITAL DUAL SOT-363
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • TRANSISTOR, DIGITAL, DUAL, SOT-363
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • TRANSISTOR, DIGITAL, DUAL, SOT-363, Transistor Polarity
PUMH9 技術參數
  • PUMH7,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):4.7 千歐 電阻器 - 發射極基底(R2):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 1mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):100mV @ 250μA,5mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 基本零件編號:P*MH7 標準包裝:1 PUMH4,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):10 千歐 電阻器 - 發射極基底(R2):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 1mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 基本零件編號:P*MH4 標準包裝:1 PUMH20,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):2.2 千歐 電阻器 - 發射極基底(R2):2.2 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 20mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 PUMH2,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):47 千歐 電阻器 - 發射極基底(R2):47 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 PUMH18,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Digi-Key 停止供應 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):4.7 千歐 電阻器 - 發射極基底(R2):10 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):100mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 PUMX2,115 PUMX2,125 PUMZ1,115 PUMZ2,115 PUMZ2,125 PUO6C04BL-U PUO6C04BL-U-S PUP5504BL-UY PUP5504BU-UTY PUP5504BU-UY PUP5504BU-UY-S PUP5504GR-UY PUP5504IG-UY PUP5504OR-UY PUP5504RD-UY PUP5504VL-UY PUP5504WH-UTY PUP5504WH-UY
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