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參數資料
| 型號： | P1103BVG |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | N溝道增強型場效應管 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 243K |
| 代理商： | P1103BVG |
PRODUCT SUMMARY
V
(BR)DSS
1
SEP-22-2004
N-Channel Enhancement Mode Field
Effect Transistor
P1103BVG
SOP-8
Lead-Free
NIKO-SEM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= 25
°
C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
UNITS
Drain-Source Voltage
V
DS
30
V
Gate-Source Voltage
V
GS
±20
V
T
C
= 25 °C
11
Continuous Drain Current
T
C
= 90 °C
I
D
12
Pulsed Drain Current
1
I
DM
100
A
T
C
= 25 °C
2.5
Power Dissipation
T
C
= 90 °C
P
D
3.0
W
Junction & Storage Temperature Range
T
j
, T
stg
-55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
TYPICAL
MAXIMUM
UNITS
Junction-to-Ambient
R
θ
JA
50
°C / W
1
Pulse width limited by maximum junction temperature.
2
Duty cycle
≤
1
%
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= 25
°
C, Unless Otherwise Noted)
LIMITS
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN TYP MAX
UNIT
STATIC
Drain-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
V
GS
= 0V, I
D
= 250
μ
A
30
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
1
1.5
2.5
V
Gate-Body Leakage
I
GSS
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
±100
nA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
1
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V, T
J
= 55 °C
10
μ
A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 10A
13
16.5
Drain-Source On-State
Resistance
1
R
DS(ON)
V
GS
= 10V, I
D
= 11A
9
11
m
Forward Transconductance
1
g
fs
V
DS
= 15V, I
D
= 10A
38
S
G : GATE
D : DRAIN
S : SOURCE
R
DS(ON)
I
D
30
11m
11A
G
D
S
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P11062EJ3V0IF00 | 6-pin Mini Mold Semiconductors for High Frequency Use Taping Specifications |
| P1109 | |
| P911 | |
| P11201 | Optoelectronic |
| L11201 | Optoelectronic |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| P11043707500750 | 制造商:MISC. SPCR/STNDF/HND 功能描述: |
| P1104U | 制造商:TECCOR 制造商全稱:TECCOR 功能描述:solid state crowbar devices |
| P1104U_L | 制造商:LITTELFUSE 制造商全稱:Littelfuse 功能描述:Mutiport SIDAtor |
| P1104UALRP | 功能描述:硅對稱二端開關元件 4Chp 90/180V 50A RoHS:否 制造商:Bourns 轉折電流 VBO:40 V 最大轉折電流 IBO:800 mA 不重復通態電流: 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:25 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態電壓:5 V 關閉狀態電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| P1104UALTP | 功能描述:硅對稱二端開關元件 4Chp 90/180V 50A RoHS:否 制造商:Bourns 轉折電流 VBO:40 V 最大轉折電流 IBO:800 mA 不重復通態電流: 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:25 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態電壓:5 V 關閉狀態電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
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