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參數資料
型號: P1402CDG
廠商: Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述: N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述: N溝道增強模式的邏輯電平場效應晶體管
文件頁數: 1/5頁
文件大小: 273K
代理商: P1402CDG
1
NOV-05-2004
N-Channel Logic Level Enhancement
Mode Field Effect Transistor
P1402CDG
TO-252 (DPAK)
Lead-Free
NIKO-SEM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
UNITS
Gate-Source Voltage
V
GS
±12
V
T
C
= 25 °C
45
Continuous Drain Current
T
C
= 100 °C
I
D
30
Pulsed Drain Current
1
I
DM
140
A
T
C
= 25 °C
48
Power Dissipation
T
C
= 100 °C
P
D
20
W
Operating Junction & Storage Temperature Range
Lead Temperature (
1
/
16
” from case for 10 sec.)
T
j
, T
stg
-55 to 150
T
L
275
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
TYPICAL
MAXIMUM
UNITS
Junction-to-Case
R
θ
JC
2.6
Junction-to-Ambient
R
θ
JA
110
°C / W
1
Pulse width limited by maximum junction temperature.
2
Duty cycle
1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= 25 °C, Unless Otherwise Noted)
LIMITS
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN TYP MAX
UNIT
STATIC
Drain-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
V
GS
= 0V, I
D
= 250
μ
A
20
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
0.45 0.75 1.25
V
Gate-Body Leakage
I
GSS
V
DS
= 0V, V
GS
= ±12V
±100
nA
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
1
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
= 13.2V, V
GS
= 0V, T
J
= 125 °C
10
μ
A
On-State Drain Current
1
I
D(ON)
V
DS
= 5V, V
GS
= 4.5V
45
A
V
GS
= 2.5V, I
D
= 9A
18
26
Drain-Source On-State
Resistance
1
R
DS(ON)
V
GS
= 5V, I
D
= 18A
11
14
m
Forward Transconductance
1
g
fs
V
DS
= 10V, I
D
= 18A
26
S
1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
PRODUCT SUMMARY
V
(BR)DSS
R
DS(ON)
I
D
20
14m
45A
G
D
S
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PDF描述
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參數描述
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P1402SBLRP 功能描述:硅對稱二端開關元件 140V 100A DO214 2L SIDACtor Bi RoHS:否 制造商:Bourns 轉折電流 VBO:40 V 最大轉折電流 IBO:800 mA 不重復通態電流: 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:25 V 關閉狀態漏泄電流(在 VDRM IDRM 下): 保持電流(Ih 最大值):50 mA 開啟狀態電壓:5 V 關閉狀態電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
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