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參數資料
型號: P2103HVG
廠商: Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述: Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述: 雙N溝道增強型場效應晶體管
文件頁數: 1/5頁
文件大小: 363K
代理商: P2103HVG
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= 25
°
C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
1
Jun-29-2004
Dual N-Channel Enhancement Mode
Field Effect Transistor
P2103HVG
SOP-8
Lead-Free
NIKO-SEM
SYMBOL
LIMITS
UNITS
Drain-Source Voltage
V
DS
30
V
Gate-Source Voltage
V
GS
±20
V
T
C
= 25 °C
7
Continuous Drain Current
T
C
= 70 °C
I
D
6
Pulsed Drain Current
1
I
DM
40
A
T
C
= 25 °C
2
Power Dissipation
T
C
= 70 °C
P
D
1.3
W
Junction & Storage Temperature Range
T
j
, T
stg
-55 to 150
Lead Temperature (
1
/
16
” from case for 10 sec.)
T
L
275
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
TYPICAL
MAXIMUM
UNITS
Junction-to-Ambient
R
θ
JA
62.5
°C / W
1
Pulse width limited by maximum junction temperature.
2
Duty cycle
1
%
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= 25
°
C, Unless Otherwise Noted)
LIMITS
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN TYP MAX UNIT
STATIC
Drain-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
V
GS
= 0V, I
D
= 250
μ
A
30
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
1
1.5
3
V
Gate-Body Leakage
I
GSS
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
±100 nA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
1
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V, T
J
= 55 °C
10
μ
A
G : GATE
D : DRAIN
S : SOURCE
PRODUCT SUMMARY
V
(BR)DSS
R
DS(ON)
I
D
30
21m
Ω
7A
相關PDF資料
PDF描述
P2103NVG N- & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
P2111-1 256 X 4 STATICRAM
P2111A 256 X 4 STATICRAM
P2111A-2 256 X 4 STATICRAM
P2111A-4 256 X 4 STATICRAM
相關代理商/技術參數
參數描述
P2103NV 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N- & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
P2103NVG 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N- & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
P2103U 制造商:TECCOR 制造商全稱:TECCOR 功能描述:solid state crowbar devices
P2103U_L 制造商:LITTELFUSE 制造商全稱:Littelfuse 功能描述:Balanced Three-chip SIDACtor
P2103UALRP 功能描述:硅對稱二端開關元件 3Chp 170V 50A RoHS:否 制造商:Bourns 轉折電流 VBO:40 V 最大轉折電流 IBO:800 mA 不重復通態電流: 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:25 V 關閉狀態漏泄電流(在 VDRM IDRM 下): 保持電流(Ih 最大值):50 mA 開啟狀態電壓:5 V 關閉狀態電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
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