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參數資料
型號: P2504BDG
廠商: Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述: N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor ( Preliminary )
中文描述: N溝道增強模式的邏輯電平場效應晶體管(初步)
文件頁數: 1/5頁
文件大小: 153K
代理商: P2504BDG
1
JAN-17-2005
N-Channel Logic Level Enhancement
Mode Field Effect Transistor ( Preliminary )
P2504BDG
TO-252 (DPAK)
Lead-Free
NIKO-SEM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
UNITS
Drain-Source Voltage
V
DS
40
V
Gate-Source Voltage
V
GS
±20
V
T
C
= 25 °C
12
Continuous Drain Current
T
C
= 100 °C
I
D
10
Pulsed Drain Current
1
I
DM
45
A
T
C
= 25 °C
41
Power Dissipation
T
C
= 100 °C
P
D
32
W
Operating Junction & Storage Temperature Range
T
j
, T
stg
-55 to 150
Lead Temperature (
1
/
16
” from case for 10 sec.)
T
L
275
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
TYPICAL
MAXIMUM
UNITS
Junction-to-Case
R
θ
J
c
3
°C / W
Junction-to-Ambient
R
θ
JA
75
°C / W
1
Pulse width limited by maximum junction temperature.
2
Duty cycle
1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= 25 °C, Unless Otherwise Noted)
LIMITS
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN TYP MAX
UNIT
STATIC
Drain-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
V
GS
= 0V, I
D
= 250
μ
A
40
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
1
2.0
3.0
V
Gate-Body Leakage
I
GSS
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
±250
nA
V
DS
= 32V, V
GS
= 0V
1
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V, T
C
= 125 °C
10
μ
A
On-State Drain Current
1
I
D(ON)
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
45
A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 10A
35
45
Drain-Source On-State Resistance
1
R
DS(ON)
V
GS
= 10V, I
D
= 12A
21
25
m
1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
PRODUCT SUMMARY
V
(BR)DSS
R
DS(ON)
I
D
40V
25m
12A
G
D
S
相關PDF資料
PDF描述
P2560B-08ST CONNECTOR ACCESSORY
P2560B Low Frequency EMI Reduction
P2560BF-08ST Low Frequency EMI Reduction
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相關代理商/技術參數
參數描述
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P2507 制造商:ATM 制造商全稱:ATM 功能描述:2WAY - 4WAY - 8WAY POWER DIVIDERS & COMBINERS
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