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參數資料
| 型號： | P2N2907ARL1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-92 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 60V的五（巴西）總裁| 600毫安一（c）|至92 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | P2N2907ARL1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P2N2907AZL1 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-92 |
| P2N3019 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-226AE |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| P2N2907ARL1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| P2N2907AZL1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| P2N2907AZL1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| P-2N3055 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| P-2N3638 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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