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參數資料
| 型號： | P3503EVG |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | P溝道增強模式的邏輯電平場效應晶體管 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 151K |
| 代理商： | P3503EVG |
P-Channel Logic Level Enhancement
Mode Field Effect Transistor
P3503EVG
SOP-8
Lead-Free
NIKO-SEM
1
Jan-06-2005
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= 25
°
C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
UNITS
Drain-Source Voltage
V
DS
-30
V
Gate-Source Voltage
V
GS
±20
V
T
C
= 25 °C
-8
Continuous Drain Current
T
C
= 70 °C
I
D
-7
Pulsed Drain Current
1
I
DM
-30
A
T
C
= 25 °C
2.5
Power Dissipation
T
C
= 70 °C
P
D
1.3
W
Operating Junction & Storage Temperature Range
T
j
, T
stg
-55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
TYPICAL
MAXIMUM
UNITS
Junction-to-Case
R
θ
J
c
25
°C / W
Junction-to-Ambient
R
θ
JA
50
°C / W
1
Pulse width limited by maximum junction temperature.
2
Duty cycle
≤
1
%
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= 25
°
C, Unless Otherwise Noted)
LIMITS
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN TYP MAX UNIT
STATIC
Drain-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
V
GS
= 0V, I
D
= -250
μ
A
-30
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250
μ
A
-0.8
-1.5
-2.5
V
Gate-Body Leakage
I
GSS
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
±100 nA
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
-1
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V, T
J
= 125 °C
-10
μ
A
On-State Drain Current
1
I
D(ON)
V
DS
= -5V, V
GS
= -10V
-30
A
V
GS
= -4.5V, I
D
= -6A
44
60
Drain-Source On-State Resistance
1
R
DS(ON)
V
GS
= -10V, I
D
= -8A
28
35
m
Forward Transconductance
1
g
fs
V
DS
= -10V, I
D
= -6A
7
S
4 :GATE
5,6,7,8 :DRAIN
1,2,3 :SOURCE
PRODUCT SUMMARY
V
(BR)DSS
R
DS(ON)
I
D
-30
35m
-8A
G
S
D
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P3503QVG | N- & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| P3514-02 | |
| P3514-03 | |
| P3C18V8Z40A | MCU CMOS 80LD LOW VOLTAGE 64K BYTES FLASH, -40C to +85C, 80-TQFP, T/R |
| P3C18V8Z40D | UV-Erasable/OTP PLD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| P3503QVG | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N- & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| P3504U | 制造商:TECCOR 制造商全稱:TECCOR 功能描述:solid state crowbar devices |
| P3504U_L | 制造商:LITTELFUSE 制造商全稱:Littelfuse 功能描述:Mutiport SIDAtor |
| P3504UALRP | 功能描述:硅對稱二端開關元件 4Chp 320/640V 50A RoHS:否 制造商:Bourns 轉折電流 VBO:40 V 最大轉折電流 IBO:800 mA 不重復通態電流: 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:25 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態電壓:5 V 關閉狀態電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| P3504UALTP | 功能描述:硅對稱二端開關元件 4Chp 320/640V 50A RoHS:否 制造商:Bourns 轉折電流 VBO:40 V 最大轉折電流 IBO:800 mA 不重復通態電流: 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:25 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態電壓:5 V 關閉狀態電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
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