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參數資料
| 型號： | P4KE7.5AU06 |
| 廠商： | RECTRON LTD |
| 元件分類： | TVS二極管 - 瞬態電壓抑制 |
| 英文描述： | UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-41 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 218K |
| 代理商： | P4KE7.5AU06 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P4KE7.5CAU02 | BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-41 |
| P4KE75CAH06 | BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-41 |
| P4KE82CAH06 | BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-41 |
| P4KE9.1M02 | UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-41 |
| P4KE91M04 | UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-41 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| P4KE75-B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 TVS DIODE AXIAL LEAD RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| P4KE75C | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 64.1Vso 71.3Vbr RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| P4KE75C/1 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 400W 75V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| P4KE75C/54 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 400W 75V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| P4KE75CA | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 64.1Vso 71.3Vbr RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
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