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參數資料
| 型號： | PBR5112K |
| 英文描述： | Interface IC |
| 中文描述： | 接口IC |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 286K |
| 代理商： | PBR5112K |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PBR941B | TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-236 |
| PBRC-10.00HR | RESONATOR SMD 10.00MHZ |
| PBRC-12.00BR | RESONATOR SMD 12.00MHZ |
| PBRC-16.00BR | RESONATOR SMD 16.00MHZ |
| PBRC-2.00AR | RESONATOR SMD 2.00MHZ |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PBR941 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, RF, SOT-23 |
| PBR941,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN UHF 50MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBR941215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF WIDEBAND TRANSISTOR NPN 10V 8GHZ |
| PBR941B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-236 |
| PBR941B,215 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 10V 50mA 360mW 100 9GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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