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參數資料
型號: PBSS2540M,315
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 40 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor; Package: SOT883 (SC-101); Container: Tape reel smd
中文描述: 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: 1.0 MM X 0.6 MM, 0.5 MM HEIGHT, PLASTIC, SC-101, 3 PIN
文件頁數: 1/9頁
文件大小: 68K
代理商: PBSS2540M,315
DATA SHEET
Product specication
2003 Jul 22
DISCRETE SEMICONDUCTORS
PBSS2540M
40 V, 0.5 A
NPN low VCEsat (BISS) transistor
M3D883
BOTTOM VIEW
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PDF描述
PBU602 6 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
PBW.3K.93C.CLCT90Z 9/125 um, SINGLE MODE, SIMPLEX FIBER OPTIC CONNECTOR, SOCKET
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相關代理商/技術參數
參數描述
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PBSS2540MB,315 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40 V, 0.5 A NPN low VCEsat transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PBSS301ND 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN 20V 4A SSOT-6 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 20V, 4A, SSOT-6
PBSS301ND T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 4A LOW SAT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PBSS301ND,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 4A LOW SAT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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