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參數資料
| 型號： | PBSS4350 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | NPN transistor |
| 中文描述： | NPN晶體管 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 79K |
| 代理商： | PBSS4350 |
DATA SHEET
Product specification
2001 Nov 19
DISCRETE SEMICONDUCTORS
PBSS4350S
50 V low V
CEsat
NPN transistor
alfpage
M3D186
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PBSS5140D | KPT 15C 14#20 1#16 PIN PLUG |
| PBSS5140S | KPT 15C 14#20 1#16 SKT PLUG |
| PBW-1201 | KPTC 6C 6#20 PIN RECP |
| PBW-1201-33 | KPTC 6C 6#20 PIN RECP |
| PBW-1202-33 | KPTC2E10-6S |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PBSS4350D | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-457 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, SOT-457 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:NPN Transistor 3A SOT457,PBSS4350D |
| PBSS4350D /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS4350D,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS4350D,125 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Single NPN / PNP 50V 3A 600mW 100MHz RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS4350D,135 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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