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參數資料
| 型號： | PBSS4350SA |
| 英文描述： | 50 V low VCEsat NPN transistor |
| 中文描述： | 50伏低飽和壓降NPN型晶體管 |
| 文件頁數： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 72K |
| 代理商： | PBSS4350SA |
DATA SHEET
Product specification
2003 Jan 30
DISCRETE SEMICONDUCTORS
PBSS4240V
40 V low V
CEsat
NPN transistor
M3D744
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PBSS4350T | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-23 |
| PBSS4350X | 50 V. 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| PBTAMFR95BK300R | BRAID SLEEVING 300M |
| PBTAMFR127BK300R | BRAID SLEEVING 300M |
| PBTAMFR127BK50C | BRAID SLEEVING 50M |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PBSS4350SPN | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:50 V, 2.7 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| PBSS4350SPN T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS4350SPN,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS4350SPN115 | 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| PBSS4350SS | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:50 V, 2.7 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor |
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