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參數資料
型號: PBYL3025CTB
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: Rectifier diodes Schottky barrier
中文描述: 15 A, 25 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝: PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數: 2/6頁
文件大小: 52K
代理商: PBYL3025CTB
Philips Semiconductors
Product specification
Rectifier diodes
Schottky barrier
PBYL3025CT, PBYL3025CTB series
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL PARAMETER
R
th j-mb
Thermal resistance junction
to mounting base
R
th j-a
Thermal resistance junction
to ambient
CONDITIONS
per diode
both diodes
SOT78 package, in free air
SOT404 package, pcb mounted, minimum
footprint, FR4 board
MIN.
-
-
-
-
TYP. MAX. UNIT
-
2
-
1.5
60
-
50
-
K/W
K/W
K/W
K/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
All characteristics are per diode at T
j
= 25 C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
V
F
Forward voltage
CONDITIONS
I
F
= 15 A; T
j
= 150C
I
F
= 15 A; T
j
= 125C
I
F
= 30 A; T
j
= 125C
I
F
= 30 A
V
R
= V
RWM
V
R
= V
; T
= 100C
V
R
= 5 V; f = 1 MHz, T
j
= 25C to 125C
MIN.
-
-
-
-
-
-
-
TYP. MAX. UNIT
0.35
0.43
0.38
0.46
0.52
0.6
0.6
0.67
1
5
22
40
700
-
V
V
V
V
I
R
Reverse current
mA
mA
pF
C
d
Junction capacitance
March 1998
2
Rev 1.000
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