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參數資料
| 型號： | PDTA114TEF |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = open |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SC-89, 3 PIN |
| 文件頁數： | 5/14頁 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | PDTA114TEF |
2004 Aug 02
5
Philips Semiconductors
Product specification
PNP resistor-equipped transistors;
R1 = 10 k
, R2 = open
PDTA114T series
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
200
7
TYP.
10
MAX.
100
1
50
100
150
13
3
UNIT
I
CBO
I
CEO
collector-base cut-off current
collector-emitter cut-off current
V
CB
=
50 V; I
E
= 0
V
CE
=
30 V; I
B
= 0
V
CE
=
30 V; I
B
= 0; T
j
= 150
°
C
V
EB
=
5 V; I
C
= 0
V
CE
=
5 V; I
C
=
1 mA
I
C
=
10 mA; I
B
=
0.5 mA
nA
μ
A
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
V
CEsat
R1
C
c
emitter-base cut-off current
DC current gain
collector-emitter saturation voltage
input resistor
collector capacitance
mV
k
pF
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10 V; f = 1 MHz
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