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參數資料
型號: PDTA123JK
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM
中文描述: 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
封裝: PLASTIC, SC-59A, 3 PIN
文件頁數: 7/8頁
文件大?。?/td> 49K
代理商: PDTA123JK
1999 Apr 20
7
Philips Semiconductors
Preliminary specification
PNP resistor-equipped transistor
PDTA123JEF
NOTES
相關PDF資料
PDF描述
PDTA123JS NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM
PDTA124EEF PNP resistor-equipped transistor
PDTA124EK PNP resistor-equipped transistor
PDTA124ES PNP resistor-equipped transistor
PDTA143TEF TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-490
相關代理商/技術參數
參數描述
PDTA123JK T/R 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTA123JK,115 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTA123JM 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 47 kΩ
PDTA123JM T/R 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTA123JM,315 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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