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參數資料
| 型號： | PDTA124EEF |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP resistor-equipped transistor |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SC-89, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | PDTA124EEF |
2001 Jun 11
3
Philips Semiconductors
Product specification
PNP resistor-equipped transistor
PDTA124EEF
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Refer to SC-89 (SOT490) standard mounting conditions.
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
500
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
60
2.5
15.4
TYP.
1.14
1.7
22
MAX.
100
1
50
180
150
0.8
28.6
UNIT
I
CBO
I
CEO
collector cut-off current
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
=
50 V
I
B
= 0; V
CE
=
30 V
I
B
= 0; V
CE
=
30 V; T
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
=
5 V
I
C
=
5 mA; V
CE
=
5 V
I
C
=
10 mA; I
B
=
0.5 mA
I
C
=
100
μ
A; V
CE
=
5 V
I
C
=
5 mA; V
CE
=
0.3 V
nA
μ
A
μ
A
μ
A
I
EBO
h
FE
V
CEsat
V
i(off)
V
i(on)
R1
emitter cut-off current
DC current gain
collector-emitter saturation voltage
input-off voltage
input-on voltage
input resistor
mV
V
V
k
resistor ratio
0.8
1
1.2
C
c
collector capacitance
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10 V;
f = 1 MHz
3
pF
R1
R2
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