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參數資料
| 型號： | PDTA144EEF |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP resistor-equipped transistor |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SC-89, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | PDTA144EEF |
DATA SHEET
Preliminary specification
Supersedes data of 1997 Jul 03
File under Discrete Semiconductors, SC04
1998 Jul 23
DISCRETE SEMICONDUCTORS
PDTA144EE
PNP resistor-equipped transistor
M3D173
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PDTA144EK | Terminal Block; No. of Positions:12; Pitch Spacing:0.15"; Mounting Type:PCB Straight Thru Hole; Gender:Male; No. of Contacts:12; No. of Rows:1 RoHS Compliant: Yes |
| PDTA144ES | PNP resistor-equipped transistor |
| PDTB114ET | PNP resistor-equipped transistor |
| PDTB123Y | PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors |
| PDTB123YK | PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PDTA144EEF,115 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTA144EK | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP resistor-equipped transistor |
| PDTA144EK /T3 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-11 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTA144EK T/R | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTA144EK,115 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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