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參數資料
| 型號： | PDTC114 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | NPN resistor-equipped transistor |
| 中文描述： | NPN配電阻型晶體管 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | PDTC114 |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1998 Nov 26
1999 May 18
DISCRETE SEMICONDUCTORS
PDTC114EE
NPN resistor-equipped transistor
M3D173
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PDTC114TEF | PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = open |
| PDTC114TK | NPN resistor-equipped transistor |
| PDTC114TS | NPN resistor-equipped transistor |
| PDTC114EEF | NPN resistor-equipped transistor |
| PDTC115EK | NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kohm, R2 = 100 kohm |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PDTC114E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 kohm, R2 = 10 kohm |
| PDTC114EE | 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述: |
| PDTC114EE T/R | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTC114EE,115 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTC114EE115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS NPN 50V 0.1A SOT416 |
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