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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PDTC114Y |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | NPN resistor-equipped transistors |
| 中文描述： | NPN配電阻型晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大小： | 5K |
| 代理商： | PDTC114Y |
http://www.alldatasheet.com
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PDTC114YK | NPN resistor-equipped transistors |
| PDTC114YS | NPN resistor-equipped transistors |
| PDTC114YEF | NPN resistor-equipped transistors |
| PDT308 | 30A Avg 800 Volts |
| PDT1446-AI-D4 | Pigtailed PIN Photodiodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PDTC114YE | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN resistor-equipped transistors |
| PDTC114YE /T3 | 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-11 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTC114YE T/R | 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTC114YE,115 | 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTC114YE,135 | 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-11 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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