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參數資料
| 型號： | PDTC115E |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kohm, R2 = 100 kohm |
| 中文描述： | NPN配電阻型晶體管;R1=10千，R2=10kW |
| 文件頁數： | 1/14頁 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | PDTC115E |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 2004 Apr 06
2004 Aug 06
DISCRETE SEMICONDUCTORS
PDTC115E series
NPN resistor-equipped transistors;
R1 = 100 k
, R2 = 100 k
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PDTC115ES | NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kohm, R2 = 100 kohm |
| PDTC124XEF | NPN resistor-equipped transistor |
| PDTC144WK | NPN resistor-equipped transistors; R1 = 47 KOHM, R2 = 22 KOHM |
| PDTC144 | NPN resistor-equipped transistor |
| PDTC144ES | NPN resistor-equipped transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PDTC115EE | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW |
| PDTC115EE T/R | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTC115EE,115 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTC115EE115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS NPN W/RES 50V SOT-416 |
| PDTC115EEF | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW |
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